深圳DS6066赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保 欢迎咨询 深圳市芯纳科技技术供应

6--7串锂电池保护芯片介绍,XBM5573集成均衡/PWM/NTC/Sense保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的**使用极其重要。过电流保护阈值调节：6-7串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定，如果觉得该阈值较小，可以将多个开关MOS管进行并联操作，以增大过流电流，将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能芯纳科技作为赛芯芯片代理，XBM3214BCA 现货供应，满足客户多样化采购需求。深圳DS6066赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

在便携式**仪器解决方案中积累了实践经验。便携式**仪器如血糖仪、心电监测仪等，对供电系统的稳定性和**性要求极高，赛芯XR4981A的精细电压控制能力确保了仪器测量数据的准确性。实际应用中，该控制器的输出电压误差控制在±1%以内，避免了因电压波动导致的测量偏差。其低功耗特性使仪器在电池供电下可连续工作8小时以上，满足外出诊疗的需求。采用QFN封装后，仪器的整体体积缩小10%，便于医护人员携带。此外，该控制器通过了**设备相关的电磁兼容认证，不会对其他**设备产生干扰，确保了**环境的**性，为便携式**仪器的研发提供了可靠的电源解决方案  赛芯XR4981A，深圳2e1EAB赛芯代理3串 4串锂电池保护 /NTC/MSOP10多节锂电池保护——二级保护 XBM4X30。

PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。

DS3056 快充管理是一款面向小家电/电动工具充电的快充管理SOC，集成了同步开关电压变换器、快充协议控制器、电池充放电管理、电池电量计，I2C通信等功能模块，支持2-6串电芯，比较大100W充电功率，支持CC-CV切换，支持主流快充协议，并提供输入过压/欠压、电池过充、过温、过流等完备的保护功能。可组成小家电和电动工具的快充充电方案。集成了过压/欠压保护、过流保护、过温保护、电池过充保护的功能。过压/欠压保护：电池充电过程中，实时监测输入电压，并和预设的阈值电压比较。如果电压高于过压阈值或低于欠压阈值，且维持时间达到一定长度时，芯片关闭充电通路。过流保护：充电过程中，利用内部的高精度实时监测流经采样电阻的电流。当电流大于预设的过流阈值时，触发过流保护，芯片自动关闭充电通路。过温保护：电池充放电过程中，利用连接在TS管脚上的NTC，实时监测电池温度。当温度超出预设的保护门限时，首先降低功率。，则自动关闭充电通路。电池过充保护：充电过程中，实时监测电池电压。当电池电压达到充电截止电压时。高压降压电源芯片用于便携式设备、移动设备、车载设备的电源变换。

 35W以内、XBM2138QFA2串锂保集成MOS内置均衡：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的**使用极其重要3。过电流保护阈值调节：保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的**使用极其重要3。过电流保护阈值调节，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能、XBM2138QFA多节锂电保护芯片(三元/磷酸铁锂)XBM5244 均衡,推挽,充电过流检测.3-4串XBM4X30。深圳XBM3204JFG赛芯现货

7-10串锂电池保护NTC/SSOP20 多节锂电池保护——二级保护XBM7102。深圳DS6066赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

保护IC应用原理图①按锂电池保护芯片的典型原理图设计，锂电保护的GND接电池的B-，不能接外部大地，芯片的VM接外部大地。②带EPAD的芯片，一般EPAD接芯片的GND（B-），请严格按照规格书中的典型原理图来做。③锂电池保护芯片带VT脚的，VT脚通常可接芯片GND（B-），或者悬空。④典型应用图中的100Ω/1KΩ电阻与，滤除电池电压的剧烈波动和外部强烈电压干扰，使得VDD电压尽量稳定，该电阻和电容缺一不可，缺少任何一个都会有少烧芯片的可能，增加生产的不良率（XB5432不加电容）。不同IC的电阻取值有差异，请根据***版的Datesheet的典型应用图或FAE的建议选择电阻的取值。⑤马达应用、LED照明应用、射频干扰应用、负载电流剧烈变化的应用如音频功放等，可能需要增大RC滤波的网络的R和C的值，如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等，比较大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之间靠近管脚加一个，可以增强锂电保护电路的系统级ESD，增强对尖峰电压等外部信号的抗干扰能力。⑦锂电保护芯片可并联使用，减小内阻，增强持续电流，多芯片并联使用时，芯片VDD的RC网络，电阻可共用，但电容须要一个保护芯片配一个电容。深圳DS6066赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保